IGBT PDP 70A 300V TO-3P

Fairchild Semiconductor

包装:管件,系列:-,IGBT 类型:沟道,电压 - 集射极击穿（最大值）:300V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.5V @ 15V，20A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:-,Current - Collector Pulsed (Icm):160A,功率 - 最大值:201W,Switching Energy:-,输入类型:标准,Gate Charge:125nC,Td (on/off) A 25°C:32ns/175ns,Test Condition:200V, 40A, 15 欧姆, 15V,反向恢复时间 (trr):21ns,封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-3P

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